參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S26120HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 928K
代理商： MRF8S26120HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
11
17
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
16
15
10
100
200
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
14
13
12
0
--30
--40
--50
Figure 6. Broadband Frequency Response
0
24
2240
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQ = 900 mA
16
12
8
2355
GAIN
(d
B)
20
Gain
2470
2585
2700
2815
2930
3045
3160
IRL
--18
0
--3
--6
--9
--12
IRL
(dB)
4--15
ηD
2690 MHz
2620 MHz 2655 MHz
2690 MHz
2620 MHz
2655 MHz
VDD =28 Vdc,IDQ = 900 mA, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF
2690 MHz
2620 MHz
2655 MHz
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PDF描述
MRF8S26120HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S7120NR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S7170NR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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MRF8S8260HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S26120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 27W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRF8S7120NR3 功能描述:FET RF LDMOS 768MHZ 28V RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF8S7170N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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