- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98041 > MRF8S19140HSR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF8S19140HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 402K |
| 代理商： | MRF8S19140HSR3 |
MRF8S19140HR3 MRF8S19140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
1880
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 34 Watts Avg.
--28
0
--7
--14
--21
18
20
19.8
19.6
--39
36
34
32
30
--34
--35
--36
--37
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 19.4
19.2
19
18.8
18.6
18.4
18.2
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020 2040
28
--38
--35
PARC
PA
RC
(d
B)
--2
0
--0.5
--1
--1.5
--2.5
AC
PR
(d
Bc)
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD =28 Vdc,Pout = 55 W (PEP), IDQ = 1100 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
40
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
20
60
80
120
21
57
51
45
39
33
27
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--1 dB = 33 W
100
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--50
--20
--25
--30
--40
--35
--45
20
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
19
18
17
16
15
14
Gps
Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @
0.01% Probability on CCDF
VDD =28 Vdc,Pout =34 W (Avg.)
IDQ = 1100 mA
IM3--U
IM3--L
--2 dB = 45 W
--3 dB = 61 W
VDD =28 Vdc,IDQ = 1100 mA, f = 1960 MHz, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S19260HSR6 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21100HR5 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21100HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21100HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21120HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S19140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S19260H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF8S19260HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230-8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S19260HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 65V N-CH 1960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S19260HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。