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參數資料
| 型號： | MRF8P9040NBR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN |
| 文件頁數： | 21/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 822K |
| 代理商： | MRF8P9040NBR1 |
MRF8P9040NR1 MRF8P9040GNR1 MRF8P9040NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
14
20
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
19
18
10
100
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
17
16
15
0
--30
--40
--50
Figure 8. Broadband Frequency Response
0
24
750
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQ = 320 mA
16
12
8
800
GAIN
(d
B)
20
Gain
850
900
950
1000
1050
1100
1150
IRL
--18
0
--3
--6
--9
--12
IRL
(dB)
4--15
920 MHz
VDD =28 Vdc,IDQ = 320 mA, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ηD
940 MHz 960 MHz
920 MHz
940 MHz
960 MHz
Input Signal PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability
on CCDF
Gps
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 9. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PR
OBABIL
ITY
(%
)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
10
--60
--100
10
(dB
)
--20
--30
--40
--50
--70
--80
--90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
--1.8
--3.6
--5.4
--9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--7.2
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
--10
0
13
5
7
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P9040GNR1 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF8S18120HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S18120HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S18260HSR6 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S18260HR6 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF8P9040NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9210NR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHz 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9300HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9300HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9300HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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