參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21150S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 556K
代理商： MRF5S21150S
3
MRF5S21150R3 MRF5S21150SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 1. MRF5S21150 Test Circuit Schematic
C5
C1
R2
V
bias
V
supply
C20
C12
C11
C10
C4
C3
C17
C9
C6
C8
C13
C2
RF
OUTPUT
RF
INPUT
R1
C7
C14
C15
C16
C18
C19
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z8
Z6
Z7
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
+
+
+
+
+
+
Z10, Z11
Z12
Z13
Z14
Z15, Z16
Z17
PCB
0.709
″
x 0.083
″
Microstrip
0.415
″
x 1.100
″
Microstrip
0.874
″
x 0.083
″
Microstrip
1.182
″
x 0.083
″
Microstrip
0.070
″
x 0.220
″
Microstrip
0.430
″
x 0.083
″
Microstrip
Taconic TLX8, 0.030
″
,
ε
r
= 2.55
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
Z9
0.500
″
x 0.083
″
Microstrip
0.505
″
x 0.083
″
Microstrip
0.536
″
x 0.083
″
Microstrip
0.776
″
x 0.083
″
Microstrip
0.119
″
x 1.024
″
Microstrip
0.749
″
x 0.083
″
Microstrip
0.117
″
x 1.024
″
Microstrip
0.117
″
x 1.100
″
Microstrip
DUT
Table 1. MRF5S21150 Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Value, P/N or DWG
TAJE226M035R
100B6R8CW
Manufacturer
AVX
ATC
C1
C2, C6, C8, C9, C13, C18,
C19
22
μ
F, 35 V Tantalum Capacitor
6.8 pF 100B Chip Capacitors
C3,C4
C5, C7, C10, C14
C11, C12, C15, C16
C17
C20
R1, R2
1.8 pF 100B Chip Capacitors
220 nF Chip Capacitors (1812)
10
μ
F, 35 V Tantalum Capacitors
0.3 pF Chip Capacitor
470
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitor, Radial
10 k , 1/4 W Chip Resistors
100B1R8BW
1812Y224KXA
293D1106X9035D
100B0R3BW
13661471
ATC
Vishay-Vitramon
Vishay-Sprague
ATC
Philips
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21150R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S9070NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6402 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF6404K RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF5S4125NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 450MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S4125NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 450MHZ RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S4140HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S4140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 450MHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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