參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21130S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 410K
代理商： MRF5S21130S
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 80
°
C, 92 W CW
Case Temperature 80
°
C, 28 W CW
R
θ
JC
0.56
0.56
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 300
μ
Adc)
V
GS(th)
2.5
2.7
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 1200 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
V
DS(on)
—
0.26
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
g
fs
—
7.5
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS (1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
2.6
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system) 2–carrier W–CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carriers, ACPR and
IM3 measured in 3.84 MHz Bandwidth. Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz)
G
ps
12
13.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz)
η
24
26
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz; IM3
measured over 3.84 MHz BW at f1 –10 MHz and f2 +10 MHz
referenced to carrier channel power.)
IM3
–37
–35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz; ACPR
measured over 3.84 MHz at f1 –5 MHz and f2 +5 MHz.)
ACPR
—
–39
–37
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz)
IRL
—
–12
–9
dB
(1) Part is internally matched both on input and output.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21130SR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150S RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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MRF5S21150HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21150HSR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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