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參數資料
| 型號： | MRF5S21045MBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 510K |
| 代理商： | MRF5S21045MBR1 |
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
210
10
9
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
8
10
7
10
6
110
130
160
180
200
M
2
)
100
120
140 150
170
190
W-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
Figure 14. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
3.84 MHz
Channel BW
IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
P
(
+20
+30
0
10
40
50
60
70
80
20
20
5
15
10
0
5
10
15
20
25
25
30
WCDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @ +5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @ +10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9030NBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF9030NR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9125MBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9125MR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9125NBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF5S21045MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21045NBR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2170MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21045NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2170MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21045NR1_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21090HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 RF PWR LDMOS NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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