參數(shù)資料
型號(hào): MRF5S19090HSR3
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述: 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大小: 429K
代理商: MRF5S19090HSR3
MRF5S19090HR3 MRF5S19090HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 850 mA, P
out
= 18 W Avg.
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
Z
o
= 10
Ω
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
1930
1960
1990
2.98 - j5.12
4.06 - j4.64
3.36 - j4.65
2.07 - j1.31
2.02 - j1.18
1.93 - j1.01
Z
load
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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PDF描述
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參數(shù)描述
MRF5S19090HSR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S19090LR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19090LSR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF5S19100HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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