參數(shù)資料
型號： MRF581A
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, M238, MACRO-X-4
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： MRF581A
MSC1318.PDF 10-25-99
MRF581/MRF581A
C1, C4, C5, C6, C8, C9 — 1000 pF, Chip Capacitor C2, C3 — 1.0–10 pF, Johanson Capacitor
C7, C10 — 10
μ
F, Tantalum Capacitor
RFC — VK–200, Ferroxcube
TL1, TL7, TL8 — Microstrip 0.162
,
x 0.600
,
TL3 — Microstrip 0.162
,
x 0.800
,
TL5 — Microstrip 0.120
,
x 0.440
,
TL9, TL10 — Microstrip 0.025
,
x 4.250
,
Board Material — 0.0625
,
Thick Glass Teflon
ε
r = 2.55
R1 — 1.0 k
Res.
FB — Ferrite Bead, Ferroxcube, 56–590–65/3B
TL2 — Microstrip 0.162
,
x 1.000
,
TL4 — Microstrip 0.162
,
x 0.440
,
TL6 — Microstrip 0.120
,
x 1.160
,
Figure 1. Minimum Noise Figure and Gain @ Minimum Noise Figure.
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參數(shù)描述
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MRF581AGT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581AGT - Bulk
MRF581G 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF581GT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581GT - Bulk
MRF581LF 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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