參數(shù)資料
型號： MRF5811LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143
封裝： SOT-143, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： MRF5811LT1
MRF5811LT1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 5.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
18
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
36
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 0.1 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
2.5
—
—
Vdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 2.0 Vdc, VBE = 0)
IEBO
—
—
100
μ
Adc
Collector Cutoff Current
(VCB = 15 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
—
100
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (1)
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
50
—
200
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector–Base Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
2.0
—
pF
Collector–Base Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
1.2
2.0
pF
Current–Gain Bandwidth Product (2)
(IC = 75 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 GHz)
fT
—
5.0
—
GHz
FUNCTIONAL TESTS
Noise Figure (Minimum), Figure 3
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz)
NFmin
—
2.0
3.0
dB
Noise Figure (50 Ohm Insertion)
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz)
NF50
—
2.5
—
dB
Power Gain at Optimum Noise Figure, Figure 3
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz)
GNF
—
18.4
—
dB
Insertion Gain
(IC = 50 mAdc, VCE = 6.0 Vdc, f = 500 MHz)
|S21|2
—
14.2
—
dB
Maximum Unilateral Gain (2)
(IC = 50 mAdc, VCE = 6.0 Vdc, f = 500 MHz)
NOTES:
1. 300
μ
s pulse on Tektronix 576 or equivalent.
|S21|2
(1
–
|S11|2)(1
–
|S22|2)
GU max
—
18
—
dB
2. GUmax =
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