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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF18090BS |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 155K |
| 代理商： | MRF18090BS |
5
MRF18090B MRF18090BS
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL
1 W
Pin = 5 W
Figure 5. Power Gain versus
Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
10
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
0
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
140
40
G
12
1
o
Figure 7. Output Power versus Frequency
120
f, FREQUENCY (GHz)
0
Figure 8. Output Power and Efficiency
versus Input Power
Pin, INPUT POWER (WATTS)
20
1.91
0
15
1
120
20
20
2.01
60
1000
32
22
40
η
,
0
2
1.93
Figure 9. Wideband Gain and IRL
(at Small Signal)
16
f, FREQUENCY (GHz)
6
1.88
10
2.02
14
1.92
1.90
1.94
10
13
16
14
750 mA
500 mA
300 mA
IDQ = 1000 mA
26
1.95
3
4
5
6
60
50
40
10
0
VDD = 26 Vdc
f = 1990 MHz
11
12
28
20
24
80
,
2 W
Pin = 5 W
IDQ = 750 mA
f = 1990 MHz
o
,
1.97
1.99
60
80
100
VDD = 26 Vdc
IDQ = 750 mA
1 W
2 W
40
60
80
o
,
20
30
Pout
VDD = 26 Vdc
IDQ = 750 mA
f = 1990 MHz
12
G
0
–15
–25
–20
–5
–10
VDD = 26 Vdc
IDQ = 750 mA
Gps
8
I
0.1
100
30
18
16
14
100
120
100
1.98
1.96
2.00
2.04
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF18090B | RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
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參數(shù)描述 |
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