參數(shù)資料
型號: MRF160
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: RF Power FET(射頻功率場效應(yīng)管)
中文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: CASE 249-06, 4 PIN
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大?。?/td> 379K
代理商: MRF160
MRF160
8
MOTOROLA RF DEVICE DATA
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
S22
S12
S21
S11
f
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááááááááááááááá
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF166C RF Power FET(射頻功率場效應(yīng)管)
MRF166 MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
MRF171A RF MOSFET(射頻MOS場效應(yīng)管)
MRF18060BS RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
MRF18090A RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF16006 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 1A 3PIN CASE 395C-01 - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
MRF16030 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF161 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:SILICON N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF166 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
MRF166C 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray