參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1570NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/18頁(yè)
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代理商： MRF1570NT1
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz
90
12
18
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Gain versus Output Power
Gp
20
30
40
50
60
70
80
135 MHz
175 MHz
155 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
17
16
15
14
13
90
20
70
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 6. Drain Efficiency versus Output Power
,
η
60
50
40
30
20
30
40
50
60
70
80
135 MHz
175 MHz
155 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
1600
50
90
400
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 7. Output Power versus Biasing Current
Po
135 MHz
175 MHz
155 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 36 dBm
80
70
60
600
800
1400
1200
1000
0
400
100
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 8. Drain Efficiency versus Biasing Current
,
η
1600
135 MHz
175 MHz
155 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 36 dBm
600
800
1400
1200
1000
80
60
40
20
15
0
10
100
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Output Power versus Supply Voltage
Po
135 MHz
175 MHz
155 MHz
P
in
= 36 dBm
I
DQ
= 800 mA
80
60
40
20
14
13
12
11
15
0
100
10
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Drain Efficiency versus Supply Voltage
η
80
60
40
20
135 MHz
175 MHz
155 MHz
P
in
= 36 dBm
I
DQ
= 800 mA
11
12
13
14
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