參數(shù)資料
型號： MRF1550FNT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 8/13頁
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代理商： MRF1550FNT1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1550NT1 MRF1550FNT1
Table 5. Common Source Scattering Parameters (V
DD
= 12.5 Vdc) (continued)
I
DQ
= 4.0 mA (continued)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
∠ φ
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
400
0.97
-179
0.49
63
0.005
58
0.97
-173
450
0.98
-178
0.41
63
0.005
73
0.98
-173
500
0.98
-178
0.36
62
0.003
128
0.98
-173
550
0.98
-178
0.32
58
0.004
57
0.99
-174
600
0.98
-178
0.27
58
0.009
83
0.98
-174
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PDF描述
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