型號: | MR0A16AYS35 |
廠商: | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
英文描述: | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
中文描述: | 64K的x 16位的3.3V異步磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存 |
文件頁數(shù): | 15/20頁 |
文件大小: | 148K |
代理商: | MR0A16AYS35 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MR0S08AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
MR0S16AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
MR1A16AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
MR1S08AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
MR1S16AYS35 | 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MR0A16AYS35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
MR0D08BMA45 | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
MR0D08BMA45R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
MR0DL08BMA45 | 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:MRAM(磁阻 RAM) 存儲容量:1M(128K x 8) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 封裝/外殼:48-LFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA(8x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:349 |
MR0DL08BMA45R | 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:MRAM(磁阻 RAM) 存儲容量:1M(128K x 8) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 封裝/外殼:48-LFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA(8x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |