參數(shù)資料
型號: MPSW51
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: ne Watt High Current Transistors
中文描述: 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 123K
代理商: MPSW51
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 5. Current Gain — Bandwidth Product
Figure 6. Capacitance
–20
–100
–10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
50
30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
–5.0
–1.0
–20
–4.0
Cobo
Cibo
160
120
80
0
–50
,
f
–200
–1000
–500
300
–10
–2.0
–25
–5.0
–15
–3.0
40
C
TJ = 25
°
C
Cobo
Cibo
VCE = –10 V
TJ = 25
°
C
f = 20 MHz
Figure 7. Active Region — Safe Operating
Area
–10
–1.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
–500
–200
–100
–50
–20
–10
–30
I
–2.0
–5.0
–40
–1.0 k
MPSW51
MPSW51A
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
–20
DUTY CYCLE
10%
TA = 25
°
C
TC = 25
°
C
1.0 ms
1.0 ms
100 s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW51A One Watt High Current Transistors(PNP Silicon)
MPSW51 One Watt High Current Transistors(PNP Silicon)
MPSW51A ne Watt High Current Transistors
MPSW92 One Watt High Voltage Transistor
MPSW92 One Watt High Voltage Transistor(PNP Silicon)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW51_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors
MPSW51A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2