參數(shù)資料
型號(hào)： MPSL51
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Amplifier Transistor
中文描述： 600 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商： MPSL51
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1996
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
–100
Vdc
Collector–Base Voltage
–100
Vdc
Emitter–Base Voltage
–4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–600
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = –1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
–100
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –100 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
–100
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
–4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –50 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–1.0
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
–100
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.
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by MPSL51/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
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PDF描述
MPSL51 Amplifier Transistor(PNP Silicon)
MPSL51 PNP General Purpose Amplifier
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