參數(shù)資料
型號： MPS8599
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(放大器晶體管)
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： MPS8599
(NPN) MPS8098, MPS8099*, (PNP) MPS8598, MPS8599*
http://onsemi.com
4
Figure 7. MPS8098/99 Switching Times
Figure 8. MPS8598/99 Switching Times
NPN
PNP
20
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
50
20
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
500
200
100
70
50
20
10
100
100
t
t
50
200
1.0 k
700
500
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
t
r
50
200
1.0 k
700
30
300
30
70
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 V
300
30
70
20
30
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
t
r
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 V
Figure 9. MPS8098/99 ActiveRegion Safe
Operating Area
Figure 10. MPS8598/99 ActiveRegion Safe
Operating Area
Figure 11. MPS8098/99 DC Current Gain
Figure 12. MPS8598/99 DC Current Gain
2.0
0.2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
10
,
hF
T
J
= 125
°
C
10
1.0
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
500
200
100
70
50
20
10
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
50
1.0
500
200
100
70
50
20
10
20
30
IC
2.0
5.0
1.0 k
700
2.0
5.0
50
1.0 k
700
IC
MPS8098
MPS8099
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
100
70
20
3.0
7.0
1.0
3.0 5.0
V
CE
= 5.0 V
20
100
30
50
200
25
°
C
55
°
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
,
hF
300
30
MPS8598
MPS8599
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
3.0
7.0
30
100
70
30
300
0.3 0.5
2.0
0.2
300
200
100
70
50
30
10
T
J
= 125
°
C
1.0
5.0
V
CE
= 5.0 V
20
100
50
200
25
°
C
55
°
C
0.5
DUTY CYCLE
≤
10%
DUTY CYCLE
≤
10%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA05 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(放大器晶體管)
MPSA06 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(NPN通用放大器)
MPSA18 Low Noise Transistor NPN Silicon(NPN低噪聲晶體管)
MPSA29 Darlington Transistors NPN Silicon(NPN達林頓晶體管)
MPSA42 High Voltage Transistors NPN Silicon(NPN高電壓放大器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS8599G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8599RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8599RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8599RLRM 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors
MPS8599RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*