參數(shù)資料
型號： MPS6601G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： MPS6601G
MPS6601, MPS6602 (NPN) MPS6651, MPS6652 (PNP)
http://onsemi.com
4
Figure 3. MPS6601/6602 DC Current Gain
Figure 4. MPS6651/6652 DC Current Gain
Figure 5. Current Gain Bandwidth Product
Figure 6. Current Gain Bandwidth Product
Figure 7. On Voltages
Figure 8. On Voltages
100
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
10
200
100
70
50
20
100
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
10
300
200
100
70
50
30
200
200
10
1000
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1000
1.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
100
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 1.0 V
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 1.0 V
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 10 V
T
J
= 25
°
C
f = 30 MHz
V
CE
= 10 V
T
J
= 25
°
C
f = 30 MHz
fT
V
V
NPN
PNP
V
BE(SAT)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(SAT)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(ON)
@ V
CE
= 1.0 V
V
BE(SAT)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(SAT)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(ON)
@ V
CE
= 1.0 V
fT
F
h
h
F
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PDF描述
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MPS6601RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6601RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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