參數(shù)資料
型號(hào)： MPQ2907
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.6 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
封裝： PLASTIC, DIP-14
文件頁(yè)數(shù)： 1/36頁(yè)
文件大?。?/td> 374K
代理商： MPQ2907
2–474
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Quad General Purpose
Transistors
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPQ2906
MPQ2907
MPQ2907A
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
–40
–60
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
–60
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–600
mAdc
Each
Transistor
Total
Device
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
0.65
6.5
1.9
19
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +125
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
66
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
MPQ2906, MPQ2907
MPQ2907A
V(BR)CEO
–40
–60
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = –10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
–60
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –30 Vdc, IE = 0)
MPQ2906, MPQ2907
(VCB = –50 Vdc, IE = 0)
MPQ2907A
ICBO
—
–50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –3.0 Vdc, IE = 0)
MPQ2906,7 Only
IEBO
—
–50
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPQ2906
MPQ2907
MPQ2907A
*Motorola Preferred Device
CASE 646–06, STYLE 1
TO–116
1
14
*
1
2
3
4
567
14
13
12
11
10
9
8
PNP
REV 3
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PDF描述
MPQ3467 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
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MPQ3762 1.5 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ3798 50 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
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