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參數(shù)資料
| 型號： | MPC8540VTAQFC |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 9/104頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MPU POWERQUICC III 783FCPBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 36 |
| 系列： | MPC85xx |
| 處理器類型： | 32-位 MPC85xx PowerQUICC III |
| 速度： | 1.0GHz |
| 電壓： | 1.3V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 784-BBGA，F(xiàn)CBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 783-FCPBGA（29x29） |
| 包裝： | 托盤 |
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MPC8540 Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 4.1
12
Freescale Semiconductor
Power Characteristics
3 Power Characteristics
Table 4. MPC8540 VDD Power Dissipation
1,2
CCB Frequency
(MHz)
Core
Frequency (MHz)
Typical Power3,4
Maximum
Power5
Unit
200
400
4.6
7.2
W
500
4.9
7.5
600
5.3
7.9
267
533
5.5
8.2
W
667
5.9
8.7
800
6.4
10.2
333
667
6.3
9.3
W
833
6.9
10.9
1000 6
11.3
15.9
Notes:
1. The values do not include I/O supply power (OVDD, LVDD, GVDD) or AVDD.
2. Junction temperature is a function of die size, on-chip power dissipation, package thermal
resistance, mounting site (board) temperature, air flow, power dissipation of other
components on the board, and board thermal resistance. Any customer design must take
these considerations into account to ensure the maximum 105 °C junction temperature is
not exceeded on this device.
3. Typical Power is based on a nominal voltage of VDD = 1.2 V, a nominal process, a junction
temperature of Tj = 105 °C, and a Dhrystone 2.1 benchmark application.
4. Thermal solutions will likely need to design to a number higher than Typical Power based on
the end application, TA target, and I/O power.
5. Maximum power is based on a nominal voltage of VDD = 1.2 V, worst case process, a junction
temperature of Tj = 105 °C, and an artificial smoke test.
6. The nominal recommended VDD is 1.3 V for this speed grade.
Table 5. MPC8540 AVDD Power Dissipation
AVDDnTypical
1
Unit
AVDD10.007
W
AVDD20.014
W
Notes:
1. VDD = 1.2 V (1.3 V for 1.0 GHz device), TJ = 105°C
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