參數(shù)資料
型號(hào): MMUN2230LT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: Bias Resistor Transistor
中文描述: 偏置電阻晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/12頁(yè)
文件大小: 175K
代理商: MMUN2230LT1
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2211LT1
10
0
20
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1
0.1
V
TA=–25
°
C
75
°
C
25
°
C
40
50
1
0.1
0.01
0.0010
20
40
60
80
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1000
100
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
TA=75
°
C
25
°
C
–25
°
C
TA=–25
°
C
25
°
C
75
°
C
IC/IB = 10
75
°
C
25
°
C
TA=–25
°
C
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
I
5
6
7
8
9
10
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Output Capacitance
C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VCE = 10 V
VO = 0.2 V
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0–50
0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
R
θ
JA = 625
°
C/W
Figure 2. VCE(sat) versus IC
Figure 3. DC Current Gain
Figure 5. VCE(sat) versus IC
Figure 6. VCE(sat) versus IC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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