參數(shù)資料
型號: MMUN2216LT1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: TO-236AB, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/12頁
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代理商: MMUN2216LT1
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2211LT1
10
0
20
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1
0.1
V
TA=–25
°
C
75
°
C
25
°
C
40
50
1
0.1
0.01
0.0010
20
40
60
80
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1000
100
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
TA=75
°
C
25
°
C
–25
°
C
TA=–25
°
C
25
°
C
75
°
C
IC/IB = 10
75
°
C
25
°
C
TA=–25
°
C
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
I
5
6
7
8
9
10
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Output Capacitance
C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VCE = 10 V
VO = 0.2 V
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0–50
0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
R
θ
JA = 625
°
C/W
Figure 2. VCE(sat) versus IC
Figure 3. DC Current Gain
Figure 5. VCE(sat) versus IC
Figure 6. VCE(sat) versus IC
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PDF描述
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MMUN2232LT1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
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MMUN2230LT1 Bias Resistor Transistor
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參數(shù)描述
MMUN2216LT1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2216LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BRT TRANSISTOR 50V 4.7KOHM ((NW))
MMUN2230 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor NPN Silicon
MMUN2230LT1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2230LT1 WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述: