參數(shù)資料
型號： MMUN2211RLT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大小： 175K
代理商： MMUN2211RLT1
11
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
CASE 318–08
ISSUE AE
SOT–23 (TO–236AB)
STYLE 6:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0180
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0236
0.0401
0.0984
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.45
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.60
1.02
2.50
0.60
MILLIMETERS
INCHES
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUMLEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUMLEAD THICKNESS
IS THE MINIMUMTHICKNESS OF BASE
MATERIAL.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMUN2233RLT1 Bias Resistor Transistor
MOC217 SMALL OUTLINE OPTOISOLATORS TRANSISTOR OUTPUT
MOC217-M SMALL OUTLINE SURFACE MOUNT PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
MOC223 SMALL OUTLINE OPTOISOLATORS DARLINGTON OUTPUT
MOC223 SMALL OUTLINE OPTOCOUPLERS DARLINGTON OUTPUT
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參數(shù)描述
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MMUN2212LT1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2212LT1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2212LT3 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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