參數(shù)資料
型號: MMUN2114LT1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大小: 267K
代理商: MMUN2114LT1
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2112LT1
Figure 7. VCE(sat) versus IC
Figure 8. DC Current Gain
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
100
10
1
100
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
Figure 9. Output Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
10
20
30
TA= –25
°
C
75
°
C
V
100
10
1
0.1
40
50
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
4
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
I
5
6
7
8
9
10
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.01
V
0.1
1
10
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
60
80
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
25
°
C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
IC/IB= 10
VCE = 10 V
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