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參數(shù)資料
| 型號： | MMUN2113LT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | MMUN2113LT1 |
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2113LT1
Figure 12. VCE(sat) versus IC
100
10
1
0.10
10
20
30
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
50
Figure 13. DC Current Gain
Figure 14. Output Capacitance
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
10
I
25
°
C
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
–25
°
C
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
h1000
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
25
°
C
–25
°
C
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.010
10
20
30
40
75
°
C
25
°
C
VC
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VO = 2 V
IC/IB= 10
TA= 75
°
C
TA= 75
°
C
TA= –25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MMUN2113LT3 | 功能描述:TRANS BRT PNP 50V SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| MMUN2113LT3G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MMUN2113RLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
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