參數(shù)資料
型號(hào): MMUN2112RLT1
廠商: 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司
英文描述: Bias Resistor Transistor
中文描述: 偏置電阻晶體管
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 267K
代理商: MMUN2112RLT1
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2113LT1
Figure 12. VCE(sat) versus IC
100
10
1
0.10
10
20
30
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
50
Figure 13. DC Current Gain
Figure 14. Output Capacitance
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
10
I
25
°
C
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
–25
°
C
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
h1000
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
25
°
C
–25
°
C
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.010
10
20
30
40
75
°
C
25
°
C
VC
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VO = 2 V
IC/IB= 10
TA= 75
°
C
TA= 75
°
C
TA= –25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMUN2113LT1 Bias Resistor Transistors
MMUN2113LT3 Bias Resistor Transistors
MMUN2114LT1 Bias Resistor Transistors
MMUN2114LT3 Bias Resistor Transistors
MMUN2114RLT1 Bias Resistor Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMUN2113 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MMUN2113L 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 47 k
MMUN2113LT1 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2113LT1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2113LT3 功能描述:TRANS BRT PNP 50V SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242