參數(shù)資料
型號： MMSTA63-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： MMSTA63-7
DS30159 Rev. 3 - 2
2 of 2
MMSTA63/MMSTA64
www.diodes.com
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
V
(BR)CEO
I
CBO
I
EBO
-30
V
nA
nA
I
C
= -100 A V
BE
= 0V
V
CB
= -30V, I
E
= 0
V
EB
= -10V, I
C
= 0
-100
-100
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DC Current Gain
MMSTA63
MMSTA64
MMSTA63
MMSTA64
h
FE
5,000
10,000
10,000
20,000
I
C
= -10mA, V
CE
= -5.0V
I
C
= -10mA, V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA, V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA, V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA, I
B
= -100 A
I
C
= -100mA, V
CE
= -5.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base- Emitter Saturation Voltage
V
CE(SAT)
V
BE(SAT)
-1.5
-2.0
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain-Bandwidth Product
f
T
125
MHz
V
= -5.0V, I
C
= -10mA,
f = 100MHz
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Ordering Information
(Note 3)
Device
MMSTA63-7
MMSTA647
Packaging
SOT-323
SOT-323
Shipping
3000/Tape & Reel
3000/Tape & Reel
Notes:
3. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
KxE
Y
KxE = Product Type Marking Code, e.g. K2E = MMSTA63
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: N = 2002
M = Month ex: 9 = September
Date Code Key
Year
Code
1998
J
1999
K
2000
L
2001
M
2002
N
2003
P
2004
R
2005
S
2006
T
2007
U
2008
V
2009
W
Month
Code
Jan
1
Feb
2
March
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSTA63 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMSTA64 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMSTA64-7 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMSTA92-7-F PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMSTA92 PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMSTA63-7-F 功能描述:達林頓晶體管 -500V 200mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMSTA64 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMSTA64-7 功能描述:達林頓晶體管 PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMSTA64-7-F 功能描述:達林頓晶體管 PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMSTA64T146 功能描述:兩極晶體管 - BJT SMT PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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