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參數(shù)資料
| 型號： | MMSTA63-7-F |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | MMSTA63-7-F |
DS30159 Rev. 8 - 2
2 of 4
MMSTA63/MMSTA64
www.diodes.com
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
V
(BR)CEO
I
CBO
I
EBO
-30
V
nA
nA
I
C
= -100 A V
BE
= 0V
V
CB
= -30V, I
E
= 0
V
EB
= -10V, I
C
= 0
-100
-100
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
DC Current Gain
MMSTA63
MMSTA64
MMSTA63
MMSTA64
h
FE
5,000
10,000
10,000
20,000
I
C
= -10mA, V
CE
= -5.0V
I
C
= -10mA, V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA, V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA, V
CE
= -5.0V
I
C
= -100mA, I
B
= -100 A
I
C
= -100mA, V
CE
= -5.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base- Emitter Saturation Voltage
V
CE(SAT)
V
BE(SAT)
-1.5
-2.0
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain-Bandwidth Product
f
T
125
MHz
V
= -5.0V, I
C
= -10mA,
f = 100MHz
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
0
50
25
50
75
100
125
150
175
200
P
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
100
150
200
0
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
1
10
100
1000
V
,
S
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
= 1000
T = 150°C
T = 25°C
T
= -50°C
A
100
1,000
10,000,000
10,000
100,000
1,000,000
1
10
1000
100
h
,
F
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
V
= 5V
CE
T = 150°C
T = 25°C
T
= -50°C
A
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
0.1
1
10
100
V
,
B
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
V
= 5V
CE
T = 150°C
T = 25°C
T
= -50°C
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSTA64-7-F | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMSTA63-7 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA63 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA64 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA64-7 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMSTA64 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMSTA64-7 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMSTA64-7-F | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMSTA64T146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SMT PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
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