參數(shù)資料
型號： MMSTA56
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： PNP General Purpose Transistor
中文描述： PNP通用型晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： MMSTA56
DS30167 Rev. 3 - 2
2 of 2
MMSTA55/MMSTA56
www.diodes.com
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)
Collector-Base Breakdown Voltage
MMSTA55
MMSTA56
MMSTA55
MMSTA56
V
(BR)CBO
-60
-80
-60
-80
-4.0
V
I
C
= -100 A, I
E
= 0
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
V
I
C
= -1.0mA, I
B
= 0
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
V
(BR)EBO
V
I
E
= -100 A, I
C
= 0
V
CB
= -60V, I
E
= 0
V
CB
= -80V, I
E
= 0
V
CE
= -60V, I
BO
= 0V
V
CE
= -80V, I
BO
= 0V
MMSTA55
MMSTA56
MMSTA55
MMSTA56
I
CBO
-100
nA
Collector Cutoff Current
I
CEX
-100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DC Current Gain
h
FE
100
I
C
= -10mA, V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA, V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
I
C
= -100mA, V
CE
= -1.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base- Emitter Saturation Voltage
V
CE(SAT)
V
BE(SAT)
-0.25
-1.2
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain-Bandwidth Product
f
T
50
MHz
V
= -1.0V, I
C
= -100mA,
f = 100MHz
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Ordering Information
(Note 3)
Device
MMSTA55-7
MMSTA56-7
Packaging
Shipping
SOT-323
3000/Tape & Reel
Notes:
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
Marking Information
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