型號: | MMSTA42-7 |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
中文描述: | 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 46K |
代理商: | MMSTA42-7 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMSTA42 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMSTA42-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA42-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA42-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA55 | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
MMSTA55_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |