參數資料
型號： MMBT918LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數： 12/22頁
文件大小： 296K
代理商： MMBT918LT3
MMBT918LT1
2–299
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 3.0 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
20
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.4
Vdc
Base – Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
VBE(sat)
—
1.0
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product
(IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
600
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
3.0
1.7
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
2.0
pF
Noise Figure
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 6.0 Vdc, RS = 50 , f = 60 MHz) (Figure 1)
NF
—
6.0
dB
Power Output
(IC = 8.0 mAdc, VCB = 15 Vdc, f = 500 MHz)
Pout
30
—
mW
Common–Emitter Amplifier Power Gain
(IC = 6.0 mAdc, VCB = 12 Vdc, f = 200 MHz)
Gpe
11
—
dB
Figure 1. NF, Gpe Measurement Circuit 20–200
VBB
VCC
EXTERNAL
100 k
0.018
F
0.018
F
3
1000 pF BYPASS
0.018
F
0.018
F
50
RF
VM
NF TEST CONDITIONS
IC = 1.0 mA
VCE = 6.0 VOLTS
RS = 50
f = 60 MHz
Gpe TEST CONDITIONS
IC = 6.0 mA
VCE = 12 VOLTS
f = 200 MHz
C
G
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