參數(shù)資料
型號： MMBT918D87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 748K
代理商： MMBT918D87Z
Common Emitter Y Parameters vs. Frequency (continued)
Reverse Transfer Admittance vs
Collector Current-Input Short Circuit
024
68
10
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
Y
-
RE
VE
RS
E
T
R
AN
S
.ADM
IT
T
A
N
C
E
(
m
h
o
)
re
-g
re
-b re
C
f = 10.7 MHz
V
= 10V
CE
Reverse Transfer Admittance vs
Collector Current-Input Short Circuit
0
246
8
10
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
Y
-
R
E
VE
R
S
E
T
R
A
N
S.
A
D
M
IT
T
A
N
C
E
(m
m
h
o
)
re
-g
re
-b re
C
f = 100 MHz
V
= 5.0V
CE
V
= 5.0V
CE
V
= 10V
CE
V
= 10V
CE
Reverse Transfer Admittance vs
Frequency-Input Short Circuit
10
20
50
100
200
500
1000
0
1
2
3
4
5
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
RE
VE
R
S
E
T
RAN
S
.ADM
IT
T
ANC
E
(
m
h
o
)
re
V
= 10V
CE
I = 5.0 mA
c
-b re
-g
re
Output Admittance vs Collector
Current-Input Short Circuit
02468
10
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
Y
-
REV
E
RSE
T
R
A
N
S
.ADM
IT
T
A
N
C
E
(
m
h
o
)
oe
C
f = 10.7 MHz
V
= 10V
CE
boe
g
oe
Output Admittance vs Collector
Current-Input Short Circuit
0
246
8
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
Y
-
REVERSE
T
R
AN
S
.
ADM
IT
T
ANC
E
(
m
h
o
)
oe
C
f = 100 MHz
V
= 5.0V
CE
b
oe
g
oe
V
= 10V
CE
V
= 5.0V
CE
V
= 10V
CE
Output Admittance vs
Frequency-Input Short Circuit
10
20
50
100
200
500
1000
0
2
4
6
8
10
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-RE
V
E
RS
E
T
RAN
S
.ADM
IT
T
A
NCE
(
m
h
o
)
oe
V
= 10V
CE
I = 5.0 mA
c
b oe
g
oe
NPN RF Transistor
(continued)
PN918
/
MMBT918
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT918LT3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA13LT3 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA20LT3 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56D87Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA56D74Z 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 14 LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA 42 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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