參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT9018
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Mini size of Discrete semiconductor elements
中文描述： 迷你型離散半導(dǎo)體元件
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBT9018
D
H
H
BOTTOM
VIEW
E
A
B
C
G
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
4.32
Max
4.83
4.32
4.78
12.50
15.62
0.36
0.56
3.15
3.94
2.29
2.79
1.14
1.40
TO-92
Lead configuration shown is for bulk product packaging only.
See ANSI/EIA-486 for Radial Tape specifications.
A
B
D
E
G
G
C
+
-
+
-
WOG / AM
Dim
A
B
C
D
E
G
Min
8.84
Max
9.86
4.00
4.60
0.81
27.90
25.40
0.71
4.60
5.60
A
A
B
C
D
A
B
C
D
Dim
A-405
DO-35
DO-41
Plastic
DO-41
Glass
DO-15
DO-201
DO-201AD
R-6
T-1
5W
5KP
5KW
Min
25.40
Max
Min
4.10
4.06
5.50
Max
5.20
Min
0.53
0.71
0.686
Max
0.64
Min
2.00
2.00
2.60
Max
2.70
25.40
4.00
0.60
2.00
25.40
5.21
0.864
2.72
25.40
4.70
0.863
2.71
25.40
7.62
0.889
3.60
25.40
8.50
9.53
0.96
1.06
4.80
5.21
25.40
7.20
9.50
1.20
1.30
4.80
5.30
25.40
8.60
9.10
1.20
1.30
8.60
9.10
25.40
2.60
3.20
0.53
0.64
2.20
2.60
25.40
8.38
8.89
0.94
1.09
3.30
3.68
25.40
8.60
0.95
1.07
9.53
25.40
9.00
1.20
1.30
8.00
Axial Devices (Through-Hole)
Millimeters
SOP-8 / TSSOP-8
Min.
A
1.35
/ 1.0
1.75
/ 1.2
A1
0.10
/ 0.1
0.25
/ 0.15
D
4.80
/ 2.9
5.00
/ 3.1
E
3.80
/ 4.3
4.00
/ 4.5
H
5.80
/ 6.2
6.20
/ 6.6
L
0.40
/ -
1.27
/ -
e1
0.33
/ -
0.51
/ -
e2
1.27BSC
/ 0.65BSC
Dim
Max.
H
E
e1
e2
D
A
A1
0.004max.
SOP-8 / TSSOP-8
P.31
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTH10 High Speed Precision Transimpedance Amplifier 8-MSOP -40 to 125
MMBTH10-7 NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR
MMBT5089 Inductor RoHS Compliant: Yes
MMBT6429 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-TSSOP -40 to 125
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBT918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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