參數(shù)資料
型號(hào): MMBT6517LT1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: High Voltage Transistor(NPN Silicon)
中文描述: 100 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 11/15頁(yè)
文件大小: 500K
代理商: MMBT6517LT1
TO-263 / D
2
PAK
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
1
2
3
4
PIN 1
PIN 3
PIN 2 & 4
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Min
9.65
Max
10.69
14.60
15.88
0.51
1.14
2.29
2.79
4.37
4.83
1.14
1.40
1.14
1.40
8.25
9.25
0.30
0.64
2.03
2.92
2.29
2.79
A
B
E
G
J
L
M
N
P
K
S
M
H
R
D
C
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
3.20
Max
3.50
4.59
5.16
20.80
21.30
19.70
20.20
2.10
2.40
0.51
0.76
15.90
16.40
1.70
3.10
3.30
3.50
2.70
4.51
5.20
5.70
1.12
1.22
2.90
3.30
11.70
12.80
4.30 Typical
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
J
G
H H
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
B
J
R
Case
-
-
+
Case Positive
Case Negative
TO-220AB
TO-220AC
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
Max
14.22
15.88
9.65
10.67
2.54
3.43
5.84
12.70
6.86
6.35
14.73
2.29
2.79
0.51
3.53
3.56
1.14
4.09
4.83
1.14
1.40
0.30
0.64
2.03
2.92
4.83
5.33
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
P
Min
Max
6.3
6.7
10
0.3
0.8
2.3 Nominal
2.1
2.5
0.4
0.6
1.2
1.6
5.3
5.7
0.5 Nominal
1.3
1.8
1.0
5.1
5.5
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
P
4
1
2
3
TO-252 / DPAK
SOT-143
Min
Dim
Max
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
S
2.80
3.04
1.20
1.40
0.80
1.20
0.37
0.46
0.76
0.89
1.92 BSC
1.72 BSC
0.085
0.130
0.051
0.127
0.25
0.55
1.00
1.69
2.10
2.64
All Dimensions in mm
E
K
L
J
B
S
D
C
TOP VIEW
A
M
G
H
SOT-343 / SOT-143
D
E
C
B
J
R
TO-220AC-P
H
R
TO-3P
TO-3P-P
P.30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5088LT1 Low Noise Transistors
MMBT5089LT1 Low Noise Transistors
MMBT6429LT1 Amplifier Transistors
MMBTH10LT1 VHF/UHF Transistor
MMBT6517LT1 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-SOIC -40 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT6517LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MMBT Series 350 V 100 mA SMT NPN Silicon Transistor - SOT-23
MMBT6517LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2