參數(shù)資料
型號： MMBT6427LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Darlington Transistor(NPN Silicon)
中文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 249K
代理商： MMBT6427LT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
hFE
10,000
20,000
14,000
100,000
200,000
140,000
—
VCE(sat)(3)
—
—
1.2
1.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
VBE(sat)
—
2.0
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
—
1.75
Vdc
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
7.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
15
pF
CurrentGain — High Frequency
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
|hfe|
1.3
—
Vdc
Noise Figure
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 100 k
, f = 1.0 kHz)
NF
—
10
dB
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT6427LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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