參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT6427
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (DARLINGTON TRANSISTOR)
中文描述： npn型（達(dá)林頓晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 249K
代理商： MMBT6427
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
hFE
10,000
20,000
14,000
100,000
200,000
140,000
—
VCE(sat)(3)
—
—
1.2
1.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
VBE(sat)
—
2.0
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
—
1.75
Vdc
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
7.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
15
pF
CurrentGain — High Frequency
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
|hfe|
1.3
—
Vdc
Noise Figure
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 100 k
, f = 1.0 kHz)
NF
—
10
dB
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
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PDF描述
MMBT6427 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 125
MMBT6427LT1 Darlington Transistor(NPN Silicon)
MMBT6427 NPN Darlington Transistor
MMBT6520LT1 High Voltage Transistor
MMBT6520 Mini size of Discrete semiconductor elements
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參數(shù)描述
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MMBT6427-7 功能描述:達(dá)林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBT6427-7-F 功能描述:達(dá)林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBT6427LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBT6427LT1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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