參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5551
廠商： Transys Electronics Ltd.
英文描述： NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
中文描述： npn型小信號(hào)晶體管表面貼裝
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 170K
代理商： MMBT5551
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PDF描述
MMBT5551-7 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5551 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5551 80V, 50mA Operational Amplifiers 7-DDPAK -40 to 125
MMBT5551W Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT5551 High Voltage Transistors
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參數(shù)描述
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
MMBT5551_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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