參數(shù)資料
型號: MMBT5550
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN General Purpose Amplifier
中文描述: 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 199K
代理商: MMBT5550
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
hFE
60
80
60
80
20
30
250
250
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
MMBT5550
MMBT5551
VCE(sat)
0.15
0.25
0.20
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
MMBT5550
MMBT5551
VBE(sat)
1.0
1.2
1.0
Vdc
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT5550LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: