參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： High Voltage Transistor(PNP Silicon)
中文描述： 高壓晶體管（民進(jìn)黨硅）
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： MMBT5401LT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –1.0 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
(IC = –10 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
(IC = –50 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
(IC = –50 mAdc, IB = –5.0 mAdc)
hFE
50
60
50
—
240
—
—
VCE(sat)
—
—
–0.2
–0.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
(IC = –50 mAdc, IB = –5.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
—
—
–1.0
–1.0
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = –10 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
300
MHz
Output Capacitance
(VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
6.0
pF
Small Signal Current Gain
(IC = –1.0 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe
40
200
—
Noise Figure
(IC = –200
μ
Adc, VCE = –5.0 Vdc, RS = 10
,
f = 1.0 kHz)
NF
—
8.0
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5401 PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5401 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON
MMBT5550LT1 High Voltage Transistors
MMBT5550 High Voltage FET-Input Operational Amplifier 8-SO PowerPAD
MMBT5550 Mini size of Discrete semiconductor elements
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參數(shù)描述
MMBT5401LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5401LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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