參數(shù)資料
型號(hào): MMBT5089
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: Inductor RoHS Compliant: Yes
中文描述: npn型(低噪聲晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 14/15頁(yè)
文件大?。?/td> 500K
代理商: MMBT5089
PBL
-
+
A
B
C
E
G
H
D
PBU
-
~
~
+
B
C
D
H
M
N
P
A
E
L
K
J
G
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
18.50
Max
19.50
15.40
16.40
6.50
19.00
6.20
4.60
5.60
1.50
2.00
1.30 Typical
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Min
22.70
Max
23.70
3.80
4.10
4.20
4.70
1.70
2.20
10.30
11.30
4.50
6.80
4.80
5.80
19.30
25.40
16.80
17.80
6.60
7.10
4.70
5.20
1.20
1.30
KBJ
A
B
D
J
K
C
E
H
L
M
N
P
R
C
E
H
J
K
L
M
N
P
+
A
B
D
KBP
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
14.25
Max
14.75
10.20
10.60
2.29 Typical
14.25
14.73
3.56
0.86
0.76
0.86
1.17
2.8 X 45
°
Chamfer
0.80
1.42
J
K
L
M
N
P
1.10
3.35
3
°
Nominal
2
°
Nominal
0.30
3.65
0.64
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
24.80
Max
25.20
14.70
15.30
4.00 Nominal
17.20
17.80
0.90
1.10
7.30
3.10
3.40
3.30
7.70
3.70
1.50
1.90
9.30
9.70
2.50
2.90
3.40
3.80
4.40
4.80
0.60
0.80
Dim
A
B
C
D
E
G
H
I
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
29.70
Max
30.30
19.70
20.30
17.00
18.00
3.80
4.20
7.30
7.70
7.30 7.70
2.00
2.40
0.90
1.10
2.30
3.0 X 45
°
4.40
2.70
4.80
3.40
3.80
3.10
3.40
2.50
2.90
0.60
0.80
10.80
11.20
GBJ
_
B
C
D
E
E
G
H
K
J
I
L
M
N
P
R
S
A
GBU
-
~
~
+
A
B
K
D
E
F
G
H
J
M
N
P
L
C
GBU
Min
21.8
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Max
22.3
3.5
4.1
7.4
7.9
1.65
2.16
2.25
2.75
1.02
1.27
4.83
5.33
17.5
3.2 X 45
°
18.3
18.0
18.8
3.30
3.56
0.46
0.56
0.76
1.0
P.33
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT5089LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT5179_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5210 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2