參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT200D87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 519K
代理商： MMBT200D87Z
Typical Characteristics (continued)
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Collector Saturation Region
100
300
700
2000 4000
0
1
2
3
4
I - BASE CURRENT (uA)
V
-
C
O
LLEC
T
O
R
-E
M
ITT
ER
VO
L
T
A
G
E
(V
)
CE
B
50 mA
300 mA
100 uA
Ta = 25°C
Ic =
CE
R
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
70
75
80
85
90
95
RESISTANCE (k )
BV
-
BRE
A
K
DOW
N
V
O
L
T
AG
E
(
V
)
PN200
/
MMBT200
/
PN200A
/
MMBT200A
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
10
100
V
- COLLECTOR VOLTAGE (V)
CA
P
A
CI
T
ANC
E
(
p
F
)
Cib
Cob
f = 1.0 MHz
CE
Collector-Cutoff Curre nt
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
L
LE
C
T
O
R
CU
RR
E
N
T
(n
A)
A
CB
O
°
V
= 50V
CB
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
β = 10
25
°C
- 40
°C
125
°C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
25
°C
- 40
°C
125
°C
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PDF描述
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