型號: | MMBF170D87Z |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
封裝: | TO-236AB, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/14頁 |
文件大?。?/td> | 1256K |
代理商: | MMBF170D87Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBF2201NT3 | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
MMBF2202PT3 | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
MMBF5484LT3 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
MMBF5486LT1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
MMBFJ112D87Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBF170G-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
MMBF170L-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
MMBF170LT1 | 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MMBF170LT1_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 |
MMBF170LT1G | 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |