參數(shù)資料
型號(hào)： MMBD3004BRM
廠商： PanJit International Inc.
英文描述： SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY
中文描述： 表面貼裝高壓開關(guān)二極管陣列
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： MMBD3004BRM
www.panjit.com
12/7/2005
Page 2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Diode)
Parameter
Symbol
Min
Units
Breakdown Voltage (Note 1)
Tj = 25°C Unless otherwise noted
Conditions
Typ
Max
V
BR
I =
Forward Voltage (Note 1)
V
F
I =
I =
I =
Reverse Leakage Current (Note 1)
I
R
V =
Total Capacitance
C
T
0Vdc Bias, f =1 MHz
Reverse Recovery Time
trr
I = I =30mA, I = 3mA
R = 100 ohms
150uA
20mA
100mA
240V
350
-
-
V
-
0.82
0.87
-
0.95
1.0
V
0.02
0.1
-
5.0
pF
-
1.7
-
50
ns
-
MMBD3004BRM
Note 1. Short duration pulse test to avoid self-heating effect
200mA
1.25
-
1.0
V = 240V
0.5
100
-
uA
T =150°C
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Forward Voltage, V
F
(V)
T
J
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
= 150°C
Fig. 1. Typical Forward Characteristics
F
F
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0.1
1
10
100
Reverse Voltage, V
R
(V)
f=1MHz
Fig. 3. Typical Capacitance
T
T
1
10
100
1000
0
100
200
300
Reverse Voltage, V
R
(V)
T
J
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
= 150°C
Fig. 2. Typical Reverse Characteristics
R
R
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