參數(shù)資料
型號(hào)： MJL4302A
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
中文描述： 15 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
封裝： CASE 340G-02, TO-3PBL, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： MJL4302A
MJL4281A (NPN) MJL4302A (PNP)
http://onsemi.com
3
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
h
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
Figure 1. DC Current Gain, V
CE
= 5 V,
NPN MJL4281A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
h
Figure 2. DC Current Gain, V
CE
= 5 V,
PNP MJL4302A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
h
Figure 3. DC Current Gain, V
CE
= 20 V,
NPN MJL4281A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
h
Figure 4. DC Current Gain, V
CE
= 20 V,
PNP MJL4302A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
Figure 5. Typical Saturation Voltage,
NPN MJL4281A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
S
T
J
= 25
°
C
I
c
/I
b
= 10
V
be(sat)
V
ce(sat)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.01
0.1
1
10
100
Figure 6. Typical Saturation Voltage,
PNP MJL4302A
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
S
T
J
= 25
°
C
I
c
/I
b
= 10
V
be(sat)
V
ce(sat)
TYPICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
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MJW21193 Silicon Power Transistors
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參數(shù)描述
MJL4302AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJLF147-X 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:WIDE BANDWIDTH QUAD JFET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER
MJLF155-X 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:JFET INPUT LOW POWER
MJL-G-64-2-30 制造商:MAXCONN 功能描述:CON,RJ11,R,RA,1R, 6P,2PORT,6C
MJLM108A-X 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:OPERATIONAL AMPLIFIERS (SINGLE)
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