參數(shù)資料
型號: MJL0281A
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary NPN(互補型NPN)
中文描述: 15 A, 260 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
封裝: CASE 340G-02, TO-264, TO-3PBL, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
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代理商: MJL0281A
MJL0281A (NPN) MJL0302A (PNP)
http://onsemi.com
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Figure 9. MJL0281A Current Gain Bandwidth
Product
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, COLLECTOR CURRENT (A)
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Figure 10. MJL0302A Current Gain Bandwidth
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相關PDF資料
PDF描述
MJL0302A Complementary NPN(互補型NPN)
MJW21196 Silicon Power Transistors(硅功率晶體管)
MK2P-I GENERAL PURPOSE RELAY
MK2PD-I GENERAL PURPOSE RELAY
MK2PD-S GENERAL PURPOSE RELAY
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJL0281AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DIP OWR AUDIO TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJL0302A 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 15A 230V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJL0302AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIP PWR AUDIO TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJL1302 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJL1302A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 230V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2