參數(shù)資料
型號(hào): MJF45H11
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: Complementary Power Transistors
中文描述: 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: CASE 221D-03, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大小: 80K
代理商: MJF45H11
MJF44H11 (NPN), MJF45H11 (PNP)
http://onsemi.com
6
Notes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJF45H11G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF47 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 28W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF47G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 28W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF6107 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:PNP SILICON POWER TRANSISTOR 7 AMPERES 70 VOLTS 34 WATTS
MJF6388 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel