參數(shù)資料
型號： MJE18604D2BU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 17/61頁
文件大小： 386K
代理商： MJE18604D2BU
Outline Dimensions and Leadform Options
5–2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO–204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.550 REF
39.37 REF
B
–––
1.050
–––
26.67
C
0.250
0.335
6.35
8.51
D
0.038
0.043
0.97
1.09
E
0.055
0.070
1.40
1.77
G
0.430 BSC
10.92 BSC
H
0.215 BSC
5.46 BSC
K
0.440
0.480
11.18
12.19
L
0.665 BSC
16.89 BSC
N
–––
0.830
–––
21.08
Q
0.151
0.165
3.84
4.19
U
1.187 BSC
30.15 BSC
V
0.131
0.188
3.33
4.77
CASE 1–07
A
N
E
C
K
–T– SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.13 (0.005)
Y M
T
M
Y
M
0.13 (0.005)
T
–Q–
–Y–
2
1
U
L
G
B
V
H
STYLE 1:
PIN 1.
EMITTER
2.
COLLECTOR
3.
BASE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
CASE 77–08
–B–
–A–
M
K
F
C
Q
H
V
G
S
D
J
R
U
13
2
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010)
B M
M
A
M
0.25 (0.010)
B M
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.425
0.435
10.80
11.04
B
0.295
0.305
7.50
7.74
C
0.095
0.105
2.42
2.66
D
0.020
0.026
0.51
0.66
F
0.115
0.130
2.93
3.30
G
0.094 BSC
2.39 BSC
H
0.050
0.095
1.27
2.41
J
0.015
0.025
0.39
0.63
K
0.575
0.655
14.61
16.63
M
5 TYP
Q
0.148
0.158
3.76
4.01
R
0.045
0.055
1.15
1.39
S
0.025
0.035
0.64
0.88
U
0.145
0.155
3.69
3.93
V
0.040
–––
1.02
–––
__
(TO–204AA)
(TO–225AA)
CASE 152-02
EB C
12
3
Q
G
N
F
K
D
A
C
L
B
R
H
J
NOTES:
1. LEADS WITHIN 0.15 (0.006) TOTAL OF TRUE
POSITION AT CASE, AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
9.14
9.53
0.360
0.375
B
6.60
7.24
0.260
0.285
C
5.41
5.66
0.213
0.223
D
0.38
0.53
0.015
0.021
F
3.18
3.33
0.125
0.131
G
2.54 BSC
0.100 BSC
H
3.94
4.19
0.155
0.165
J
0.36
0.41
0.014
0.016
K
11.63
12.70
0.458
0.500
L
24.58
25.53
0.968
1.005
N
5.08 BSC
0.200 BSC
Q
2.39
2.69
0.094
0.106
R
1.14
1.40
0.045
0.055
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
(COLLECTOR CONNECTED TO TAB)
相關PDF資料
PDF描述
MJE2361T 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE2360TAF 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2360TAK 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2360TAS 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2360TBC 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MJE200 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors
MJE200G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200TSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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