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參數(shù)資料
| 型號： | MJE18206BD |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 45/67頁 |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | MJE18206BD |
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MJE18206 MJF18206
3–773
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 6. Base–Emitter Saturation Region
1.5
0
10
0.1
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
0.5
0.01
IC/IB = 5
IC/IB = 10
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
Figure 7. Capacitance
10000
10
100
10
1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF) 1000
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
100
Cib (pF)
Cob (pF)
t,TIME
(ns)
Figure 8. Resistive Switching, ton
1600
0
5
1
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
800
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IB1 = IB2
VCC = 300 V
PW = 20
s
1400
1200
1000
600
400
200
2
2.5
3
3.5
4
4.5
125
°C
25
°C
Figure 9. Resistive Switching, toff
8
5
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
6
t,TIME
(
s)
7
2
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
4
3
5
1
0.5
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
IB1 = IB2
VCC = 300 V
PW = 20
s
t,TIME
(ns)
Figure 10. Inductive Storage Time, tsi
6
3
2
3.5
1
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
4
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC/IB = 5
5
3
2.5
2
IC/IB = 10
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
Figure 11. Inductive Storage Time
6
3
15
7
3
hFE, FORCED GAIN
13
4
9
TJ = 125°C
TJ = 25°C
,ST
ORAGE
TIME
(
t si
s)
5
511
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
IC = 1 A
IC = 2 A
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