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參數(shù)資料
| 型號： | MJE18206AF |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 56/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 543K |
| 代理商： | MJE18206AF |
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MJE18206 MJF18206
3–774
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 12. Inductive Switching,
tc & tfi @ IC/IB = 5
1500
0
3
1
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
2
t,TIME
(ns)
1000
500
TJ = 125°C
TJ = 25°C
tc
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
Figure 13. Inductive Switching,
tc & tfi @ IC/IB = 10
1100
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t,TIME
(ns)
TJ = 125°C
TJ = 25°C
3
04
2
tc
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
900
700
500
300
1
Figure 14. Inductive Fall Time
680
80
15
7
3
hFE, FORCED GAIN
480
t fi
,F
ALL
TIME
(ns)
280
9
TJ = 125°C
TJ = 25°C
11
513
IC = 2 A
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
IC = 1 A
Figure 15. Inductive Crossover Time
1200
600
200
15
5
3
hFE, FORCED GAIN
1000
t c
,CROSSOVER
TIME
(ns)
7
TJ = 125°C
TJ = 25°C
910
11
800
400
46
8
12
13
14
IC = 2 A
IC = 1 A
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
Figure 16. BVCER = f (RBE)
1400
600
1000
100
10
RBE ()
BVCER
(VOL
TS)
TJ = 25°C
BVCER (VOLTS) @ 10 mA
1300
800
BVCER(sus) @ 200 mA
1200
1100
1000
900
700
Figure 17. Forward Bias Safe Operating Area
100
0.01
1000
1
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
1
0.1
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
5 ms
1 ms
10
s
1
s
10
MJE18206–DC
MJF18206–DC
tc
tfi
10
EXTENDED
SOA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18206AU | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18206AN | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18206AK | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18206BU | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18206BA | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE182G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE182STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18604 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 1600 VOLTS 100 WATTS |
| MJE18604D2 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 1600 VOLTS 100 WATTS |
| MJE200 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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