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參數資料
| 型號： | MJE18009BA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 27/66頁 |
| 文件大小： | 512K |
| 代理商： | MJE18009BA |
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Outline Dimensions and Leadform Options
5–6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Leadform Options — TO–220 (Case 221A)
Leadform options require assignment of a special part number before ordering.
Contact your local Motorola representative for special part number and pricing.
10,000 piece minimum quantity orders are required.
Leadform orders are non–cancellable after processing.
Leadforms apply to both Motorola Case 221A–04 and 221A–06 except as noted.
LEADFORM BC
LEADFORM AS
.100 REF.
.20 REF.
.125
± .010
0.100 TYP.
MOUNTING
SURFACE
0.750 MAX.
.736
± .010
.620
± .015
.950 MIN.
1.00 MIN.
LEADFORM AJ
CASE
221A–04
221A–06
A
0.360
± 0.010
.100 REF.
.200 REF.
.050 REF.
.06R
.017
± .004
Lead Not Trimmed
0.300 Min.
.580
± .010
.765
± .01
A
LEADFORM AU
CASE
221A–04
221A–06
A
0.920 Min.
0.885 Min.
LEADFORM 3 LEADS
.190
± .020
.095 REF.
.574
± .01
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18009BD | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BG | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BS | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009DW | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BU | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJE180G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE181 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE181G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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